由于晶體振蕩器的振蕩頻率穩(wěn)定，所以晶體振蕩器是一種應(yīng)用范圍較廣的振蕩電路。常用的晶體振蕩器主要有并聯(lián)晶體振蕩器和串聯(lián)晶體振蕩器兩種。
1.并聯(lián)晶體振蕩器
并聯(lián)晶體振蕩器又分c-b(集電極-基極)型晶體振蕩器(也叫皮爾斯振蕩器)和b-e(基極-發(fā)射極)型晶體振蕩器(也叫密勒振蕩器)兩種。下面以c-b 型晶體振蕩器為例進行介紹。
典型的c-b 型晶體振蕩器如圖6-23所示。在該電路中，晶體X 作為反饋元件并聯(lián)在VT 的c、b 極之間，R1、R2 是VT 的b 極偏置電阻，R3 是VT 的c 極電阻，R4 是e 極電阻，C1 是濾波電容。因此，該電路的交流等效電路如圖6-24所示。
圖6-23 c-b型并聯(lián)晶體振蕩器
圖6-24 c-b型并聯(lián)晶體振蕩器的等效電路
參見圖6-24，晶體X 代替三點式振蕩器的一個電感構(gòu)成電容三點式振蕩器。X 與電容C2、C3 構(gòu)成并聯(lián)諧振回路，它們的參數(shù)共同決定振蕩器的頻率。其工作原理和電容三點式振蕩器完全相同，不再介紹。
2.串聯(lián)晶體振蕩器
典型的串聯(lián)晶體振蕩器如圖6-25所示。VT1、VT2 構(gòu)成兩級阻容耦合放大器，R1、R3分別是VT1、VT2 的基極偏置電阻，R2、R4 分別是VT1、VT2 的集電極電阻，晶體X 和C2 串聯(lián)后構(gòu)成正反饋網(wǎng)絡(luò)。該電路的等效電路如圖6-26所示。
圖6-25 串聯(lián)晶體振蕩器
圖6-26 串聯(lián)晶體振蕩器的等效電路
參見圖6-26，由于VT2 的輸出電壓與VT1 的輸入電壓同相，所以晶體X 可以等效為一個電阻與C2 為VT1 的基極提供正反饋電壓，使該電路進入振蕩狀態(tài)。該電路的振蕩頻率就是X 的固有頻率。
