本公眾號【讀芯樹：duxinshu_PD】主要介紹數(shù)字集成電路物理設(shè)計相關(guān)知識，才疏學(xué)淺，如有錯誤，歡迎指正交流學(xué)習(xí)。
這是集成電路物理設(shè)計的五個系列【signoff】的第三篇文章，本篇文章主要介紹Process Corner相關(guān)內(nèi)容：
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Process Corner
晶體管模型要保證有足夠高的良率但又不能過于悲觀。
對晶體管建模的目的是使得晶體管的表現(xiàn)接近于真實情況，剔除悲觀。
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什么是SSG/FFG corner？
在非先進工藝中，local variation對器件的影響比global variation的影響小很多，而在先進工藝下，local variation變得越來越重要。
在非先進工藝下，k-lib時一般會將local variatin和global variation同時考慮，STA分析時使用warst-case模型：ss和ff corner，ss corner中只包含early derate，ff corner只包含late derate。
在先進工藝下，local variation占比越來越大，如果使用warst-case模型則過于悲觀，所以在k-lib時，只考慮global variation，local variation用統(tǒng)計學(xué)方法(OCV)進行補償，這種方法對應(yīng)的corner即為ssg corner和ffg corner。
03
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什么是GNP Corner?
當NMOS與PMOS的global variation關(guān)系很弱時(R^2<0.3)，與單個NMOS或者PMOS的3 sigma variation相比(下圖中黑色虛線)，NMOS-PMOS Pair有效3 sigma variation(下圖中粉色虛線)可以看到有明顯的降低。但需要注意的是，不能將R^2增加的太大，這會超過silicon數(shù)據(jù)范圍。
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Monte Carlo 仿真
Monte-Carlo仿真：在隨機采樣基礎(chǔ)上計算得到近似結(jié)果，隨機采樣越多，得到正確結(jié)果的概率越大，但在獲得真正結(jié)果之前無法得知目前的結(jié)果是不是真實結(jié)果。其核心思路是：盡量找最好的，但不能保證是最好的。例如從100個蘋果中依次取出一個，得到最大的那個蘋果。
Las-Vegas仿真：隨著采樣次數(shù)增加，得到正確概率增加，如果隨機采樣過程中已經(jīng)找到正確結(jié)果，則返回正確結(jié)果。其核心思路是：盡量找正確結(jié)果，但不能保證找到。例如從100把鑰匙中找到可以打開鎖的那一把。
Monte-Carlo仿真通過高斯分布來模擬global variation和local variation。
Total Monte-Carlo: TT with global gaussian and local gaussian.
Local Monte-Carlo: SSG/FFG with local gaussian as signoff golden.
Local Monte-Carlo only: no global variation
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參考文獻
