在無源晶振應(yīng)用方案中，兩個外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當(dāng)發(fā)生程序啟動慢或不運行時，嘗試給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。
這個1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之，并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負(fù)性阻抗（-R），即提升了增益，縮短了晶振起振時間，達到了晶振起振更容易之目的。
在低溫環(huán)境下振蕩電路阻抗也會發(fā)生變化，當(dāng)阻抗增加到一定程度時，晶振就會發(fā)生起振困難或不起振現(xiàn)象。這時，同樣可以給晶振并聯(lián)1MΩ電阻，并且為了增加振蕩電路穩(wěn)定性，給晶振同時串聯(lián)一個100Ω的電阻，這樣可以減少晶振的頻率偏移程度。
注：并聯(lián)電阻不能太小，串聯(lián)電阻不能太大。否則，在溫度較低的情況下不易起振。
