綜上所述，內(nèi)含阻尼二極管的igbt管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，
其他連接檢測的讀數(shù)均為無窮大。
如果測得igbt管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得igbt管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中igbt管多為擊穿損壞。為使保護正常輸出，不使用的保護必須拉為高電平（對腳1），或是通過電容接地（對腳8）。
萬用表如何判斷IGBT的好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。
注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。
任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
萬用表檢測IGBT管的C--E極：
1、紅表筆接C極黑表筆接E極（指帶有阻尼管的），應該有正向導通電阻值。
2、反向測量C--E不通（無窮大的電阻值）。
3、其它各管腳間應該無窮大（不通）。
4、 IGBT管型號尾部帶D的是有阻尼管的。
IGBT管型號尾部不帶D的是無阻尼管的
如何檢測IGBT
判斷極性 ：
將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，將黑表筆固定接在某一電極上，另一表筆（紅表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，對調(diào)用紅表筆固定接在這一電極（原黑表筆接的那只管腳）上，另一表筆（黑表筆）分別接其它兩只管腳，若阻值均為無窮大，則固定不動的那只表筆接的那只管腳為柵極。其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為漏極（D）；黑表筆接的為源極（S）。
判斷好壞 ：
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S），此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G），這時IGBT 被阻斷，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。
注意：若進第二次測量時，應短接一下源極（S）和柵極（G）。
任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
功率場效應管直流參數(shù)分選儀
主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對場效應管或IGBT的批量測量，篩選。
一、簡介：
1、采用高精度AD，滿足測量精度，而高速微處理器和電子開關，使測量工作迅速、高效、寧靜。采用國際先進脈沖測量法，可以提供
2、有自檢功能、測量判斷功能以及故障報警指示功能，當不是Vmos管時或錯插等，測量不能繼續(xù)。在測量前后，測量插座柵源之間是短路狀態(tài)，以確保被測量管插入或拔出管座時的安全。
3、有
4、可設定的有：開啟電壓Ut、跨導Gfs、通態(tài)電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對于超限的測量，蜂鳴器會報警，并且哪個參數(shù)超限，會閃爍提示，用戶可以不大理會符合標準的參數(shù)具體數(shù)據(jù)，只在報警時注意閃爍的參數(shù)，這樣極大的方便了工業(yè)批量測量。
5、操作簡單，只按測試按鈕，就可以得到4項主要參數(shù)。
二、主要指標：
1、測量VMOS管可同時顯示：
通態(tài)電阻Ron 1~999mΩ (超過999 mΩ時，自動轉為9.99Ω擋)
跨導Gfs 0~99.9S
開啟電壓Ut 1~7.5V
極間電容Cir 0.1~9.9 (np)
2、如果您需要，通過輔助功能鍵，還可以得到：
a、Cir 1% nP精度；
b、Ut 1%V 精度；
c、測量Ron時的： Ids(max A),Vds(min V)；
d、以及測量Ggs時：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位LED顯示。
4、采用工業(yè)開關電源，可以在160V~230V 正常工作。
