參考：https://wenku.baidu.com/view/8582501e964bcf84b9d57bd3.html

1.    CMOS與非門（P并N串）

2.    CMOS或非門（N并P串）

3.    在輸入、輸出級(jí)加反相器

4.MOS傳輸門和雙向模擬開(kāi)關(guān)

 因?yàn)樯厦媸荘溝道，開(kāi)啟電壓為負(fù)；下面是N溝道，開(kāi)啟電壓是正。

1）當(dāng)C接低電平，C'接高電平時(shí)，兩者等效的電阻非常大，傳輸門斷開(kāi)。

2）當(dāng)C接高電平，C'接低電平時(shí)，或者T(P)導(dǎo)通，或者T(N)導(dǎo)通，或者同時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)傳輸門導(dǎo)通。

3）CMOS傳輸門特點(diǎn)：當(dāng)傳輸門導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)一管導(dǎo)通電阻減小，則另一管導(dǎo)通電阻就增加，由于兩管并聯(lián)運(yùn)行，可近似認(rèn)為開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一個(gè)常數(shù)，約幾百歐，后接運(yùn)放等輸入阻抗較大的器件時(shí)可忽略不計(jì)。

4）CMOS傳輸門應(yīng)用——CMOS模擬開(kāi)關(guān)

當(dāng)傳輸門導(dǎo)通的時(shí)候，可以直接傳輸模擬信號(hào)，作模擬開(kāi)關(guān)使用，可廣泛用于采樣-保持、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換、斬波電路中

5）利用CMOS傳輸門和CMOS反相器可以組合成各種復(fù)雜的邏輯電路，如異或門、數(shù)據(jù)選擇器、寄存器、計(jì)數(shù)器等。

三、CMOS集成門電路的特點(diǎn)
1.    靜態(tài)功耗低
例如：電源電壓V(DD)=5V時(shí)，MSI電路的靜態(tài)功耗<100mW，比較適合LSI電路

2.    電源電壓范圍寬
例如：CMOS4000系列V(DD)為3~18V

3.    輸入阻抗高
例：正常工作的CMOS集成電路工作頻率較低時(shí)，直流輸入阻抗>100MΩ

4.    邏輯擺幅大
例：空載時(shí)輸出高電平V(OH)=(VDD-0.05V)~VDD；輸出低電平V(OL)=VSS~(VSS+0.05)

5.    噪聲容限大，抗干擾能力強(qiáng)
        噪聲容限是指在保證邏輯功能的前提下，對(duì)于輸入信號(hào)（前級(jí)輸出的標(biāo)準(zhǔn)電平）來(lái)說(shuō)，在此輸入信號(hào)電平基礎(chǔ)上允許疊加的噪聲（或干擾）電壓的值。

        CMOS集成電路的輸入電壓噪聲容限可達(dá)電源電壓的45%，而且高低電平噪聲容限基本相等。

        一般，VDD越高，噪聲容限越大。

6.    扇出能力強(qiáng)

扇出系數(shù)是指門電路輸出最多能帶同類門的個(gè)數(shù)，ta反映了門電路最大帶負(fù)載的能力。

例：低頻工作時(shí)，一個(gè)CMOS門電路輸出端可驅(qū)動(dòng)50個(gè)以上的CMOS器件的輸入端。

7.    溫度穩(wěn)定性好，且有較強(qiáng)的抗輻射能力；
       集成度高，成本低；

 8. CMOS集成電路的不足

 4000系列的工作速度一般比TTL電路低；

    功耗隨頻率升高而顯著增大。