第三代半導(dǎo)體以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時代的主要材料。在無線通信、汽車電子、電網(wǎng)、高鐵、衛(wèi)星通信、軍工雷達(dá)、航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用中具備硅基無可比擬的優(yōu)勢。
GaN通常用在低電壓，比如小家電，尤其充電器是最廣泛的應(yīng)用；SiC通常用在高電壓，比如車載，5G基站，電網(wǎng)等。
簡單來說第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢是：耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性能強(qiáng)、工作速度快、工作損耗低。
二、第三代半導(dǎo)體未來10年：40億美元增量空間
根據(jù)Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入預(yù)計8.54億美元。未來十年年均兩位數(shù)增長率，到2029年將超過50億美元。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，到2024年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長至20億美元，其中，汽車市場占SiC功率半導(dǎo)體市場比重到2024年預(yù)計將達(dá)50%。
三、第三代半導(dǎo)體的相關(guān)公司
如何選擇第三代半導(dǎo)體中的優(yōu)質(zhì)公司？
1）最好的商業(yè)模式是IDM模式，相關(guān)公司：士蘭微、揚杰科技；
2）從工藝看，半導(dǎo)體代工廠受益更大，相關(guān)公司：華潤微電子。
第三代半導(dǎo)體核心標(biāo)的
1. 華潤微
公司在研項目“硅基氮化鎵功率器件設(shè)計及工藝技術(shù)研發(fā)”，預(yù)計總投入2.43億元，已投入1082萬元。目標(biāo)是完成650V硅基氮化鎵器件的研發(fā)，產(chǎn)品應(yīng)用于智能手機(jī)充電器、電動汽車充電器、電腦適配器等領(lǐng)域。
公司擁有國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)，2020年7月4日，上海慕尼黑電子展期間，華潤微電子功率器件事業(yè)群正式向市場投入1200V和650V工業(yè)級SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能、UPS、充電樁、儲能和車載電源等領(lǐng)域。
2. 三安光電
氮化鎵業(yè)務(wù)：由全資子公司三安集成運營，2020H1收入3.75億元，同比增長680.48%。砷化鎵射頻出貨客戶累計將近100家、氮化鎵射頻產(chǎn)品重要客戶產(chǎn)能正逐步爬坡。
碳化硅業(yè)務(wù)：公司在長沙設(shè)立子公司湖南三安從事碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，項目正處于建設(shè)階段。
3. 士蘭微
在工藝技術(shù)平臺研發(fā)方面，公司依托于已穩(wěn)定運行的5、6、8英寸芯片生產(chǎn)線和正在建設(shè)的12英寸芯片生產(chǎn)線和先進(jìn)化合物芯片生產(chǎn)線。在化合物功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)上繼續(xù)加大投入，盡快推出硅基GaN功率器件以及完整的應(yīng)用系統(tǒng)；同時加快SiC功率器件中試線的建設(shè)。
4. 揚杰科技
公司產(chǎn)品包含碳化硅 SBD、碳化硅JBS等；面向未來功率器件的中高端領(lǐng)域，儲備硅基氮化鎵技術(shù)和人才，完成了高壓碳化硅產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計。公司正在與北京大學(xué)合作研發(fā)垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵二極管。
