前言
晶能光電/郭嘯/研發(fā)經理，受邀出席《2023國際Mini/Micro技術應用大會》，做《硅基Micro LED的技術路線與產業(yè)化未來》主題分享，干貨滿滿，小編為大家一一梳理。
4月20日，由新型顯示產業(yè)聯(lián)盟、芯視顯主辦的'’創(chuàng)新協(xié)行，聚勢共贏'’《2023國際Mini/Micro技術應用大會》在深圳光明云谷國際會議中心成功舉辦。400+車載顯示、醫(yī)療顯示、商業(yè)顯示、IT顯示、XR元宇宙顯示上下游產業(yè)鏈領軍企業(yè)齊聚一堂 ，針對現階段焦點話題展開研討。
關于AR，所采用的Micro LED技術仍存在諸多挑戰(zhàn)，郭經理做如下總結：1.Micro LED的有效EQE仍有待提升，加上和光波導的耦合效率低，導致功耗偏高；2.生產成本高，生產良率很低；3.像素間亮度一致性差；4.灰度響應/亮度漸變效果差；5.尚無理想的全彩方案。
技術的提升與需求的釋放，帶動硅襯底LED技術迎來新一輪機會增長點，尤其在ADB矩陣車燈、Mini LED RGB直顯、AR微顯示器、車載HUD等新興領域。
1).全色系。晶能光電針對Micro LED，開發(fā)了365nm~650nm全色系8英寸硅襯底LED外延片，在外延參數、光效、一致性、可靠性等關鍵指標上進行了全方位優(yōu)化；
2).大尺寸。8inch RGB InGaN LED EPI，可提供標準厚度8inch CMOS匹配外延。
大尺寸硅襯底LED（8英寸）具有成本和IC兼容性，在AR、Mini直顯、車載等方向有巨大的應用潛力；
3).高質量。1.采用異質外延的應力積累和釋放模型優(yōu)化生長，創(chuàng)新的利用晶格應力誘導位錯反應，在總外延層厚度5微米條件下，可以穩(wěn)定重復的生長位錯密度~1.5E8/cm2的硅襯底GaN外延層；2.采用薄buffer技術，獲得超過8微米的GaN外延，膜厚均勻性好；
4).高光效。紅光LED是Micro LED技術的重大瓶頸之一，隨著產學研界廣泛的開發(fā)投入，不斷有新的方向和工藝設備升級，晶能光電和業(yè)界同仁一起在外延參數、光效、一致性、可靠性等關鍵指標上進行了全方位優(yōu)化，歷經了長期市場考驗；
5).單芯片動態(tài)調光。晶能光電進行了10微米pixel SAG研發(fā)，并且實現點亮。并在單像素上集成RGB三色外延芯片，實現單芯片動態(tài)調光。
1)Mini RGB直顯。晶能光電Mini RGB直顯芯片4.2mil*4.2mil已經完成開發(fā)并供貨，更小尺寸（4mil*4mil）持續(xù)開發(fā)中；
2)AR陣列技術。晶能光電2022年成功制備了12 um pitch 像素矩陣；并于2023年成功制備了5 um pitch 像素矩陣，后續(xù)將發(fā)布帶驅動的RGB三色陣列。晶能光電優(yōu)先著力Micro LED微顯示研究，應用AR/HMD/HUD/高密度矩陣車燈等方向，硅基GaN與硅基CMOS驅動電路進行晶圓級邦定，去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續(xù)GaN芯片工藝。
3)LED矩陣車燈。作為過渡方案，外置IC的硅基集成矩陣大燈已經商用。晶能光電推出交互式車用Mini RGB直顯屏，集成矩陣大燈的尺寸只有傳統(tǒng)的SMT矩陣大燈的1/16，可以顯著降低光學系統(tǒng)的體積和成本，緊湊的尺寸使得車燈更小、更輕、能效更高。
大會同期，讓連接創(chuàng)造價值，由新型顯示產業(yè)聯(lián)盟與芯視顯組織的2023MLED資源精準對接會，順利召開，晶能光電研發(fā)經理郭嘯參與對接，做技術交流。
