2）二極管的特性及參數(shù)
（1）單向?qū)щ娞匦?。二極管具有單向?qū)щ娞匦?，只允許電流從正極流向負極，而不允許電流從負極流向正極。根據(jù)制作材料不同，分為鍺二極管和硅二極管，鍺二極管和硅二極管在正向?qū)〞r具有不同的正向管壓降。對于硅鍺二極管，當所加正向電壓大于正向管壓降時，二極管導(dǎo)通。鍺二極管的正向管壓約為0. 3 V，硅二極管正向電壓大于0. 7 V時，硅二極管導(dǎo)通。另外，在相同的溫度下，硅二極管的反向漏電流比鍺二極管小得多。
（2）二極管的主要參數(shù)。
①最大整流電流IFM：是指允許正向通過PN結(jié)的最大平均電流。使用中實際工作電流應(yīng)小于IFM，否則將損壞二極管。
②反向電流Ico：指加在二極管上規(guī)定的反向電壓下，通過二極管的電流。硅管為1μA或更小，鍺管約為幾百微安。使用中反向電流越小越好。
③最大反向電壓Urm：是指加在二極管兩端而不致引起PN結(jié)擊穿的最大反向電壓。使用中應(yīng)選用URM大于實際工作電壓2倍以上的二極管。
④最高工作頻率fm：指二極管保證它良好工作特性的最高頻率，稱最高工作頻率。至少應(yīng)大于2倍電路實際工作頻率。
3）二極管的測量
可用萬用表測量晶體二極管的正向和反向?qū)щ娞匦裕跍y量二極管時應(yīng)注意，普通萬用表紅表筆表內(nèi)接電池的負極，黑表筆表內(nèi)接電池正極。也可以說，黑表筆為電源的正極，紅表筆為電源的負極，如圖1-25所示。
二極管的極性常用元件一側(cè)的色環(huán)來標志，帶色環(huán)的引出端為負極即N極，不帶色環(huán)的一側(cè)為正極即P極?？梢杂萌f用表的R×100Ω、R×1kΩ擋測量。根據(jù)二極管單向?qū)щ娞匦?，即正向電阻小，反向電阻大，用表筆分別與二極管的兩極相接，若紅表筆接二極管的正極（P極），黑表筆接負極（N極），電表所指示的阻值應(yīng)大于100kΩ；若黑表筆接二極管的正極（P極），紅表筆接負極（N極），阻值應(yīng)小于1. 5kΩ，此時黑表筆所接一端為二極管的正極（P極）。若二極和的反向電阻很小，則說明二極管短路；若正向電阻很大，說明二極管內(nèi)部斷路。這兩種情況都說明該二極管已損壞，不能使用，如圖1-23所示。
6．三極管
晶體三極管最新標準稱為晶體管，是各種電子設(shè)備的核心元件，在各種電子電路中也都離不開三極管。三極管在電路中能起放大、振蕩、開關(guān)等多種作用。
1）三極管的結(jié)構(gòu)
晶體三極管是由半導(dǎo)體材料制成兩個PN結(jié)。它的三個電極與管子內(nèi)部三個區(qū)----發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)相連接。三極管有PNP型和NPN型兩種類型，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)與電路符號如圖1-24所示。
圖1 -24（a）所示為NPN型三極管結(jié)構(gòu)示意圖，它由三塊半導(dǎo)體組成，構(gòu)成兩個PN結(jié)，即集電結(jié)和發(fā)射結(jié)，共引出三個電極，分別是集電極、基極和發(fā)射極。管子中工作電流有集電極電流Ic、基極電流IB、發(fā)射極電流IE。Ic 、1B匯合后從發(fā)射極流出，電路符號中發(fā)射極箭頭方向朝外形象地表明了電流的流動方向。上述代表各極的字母也可用c、b、e表示。Ie=Ib ＋Ic，由于Ib很?。ê雎圆挥嫞﹦t，Ic≈Ie。
圖1-24（b）圖所示是PNP型三極管結(jié)構(gòu)示意圖，與NPN型的不同之處是P、N型半導(dǎo)體的排列方向不同，其他基本一樣。電流方向是從發(fā)射極流向管子內(nèi)，基極電流和集電極電流都是從管子流出，這從PNP型管電路符號中發(fā)射極箭頭所指方向也可以看出。
2）三極管的種類
三極管有多種類型：按材料分，有鍺三極管、硅三極管等；按照極性的不同，又可分為NPN三極管和PNP三極管；按用途不同，又可分為大功率三極管、小功率三極管、高頻三極管、低頻三極管、光電三極管；按用途的不同，則可以分為普通三極管、帶阻三極管、帶阻尼三極管、達林頓三極管、光敏三極管等；按照封裝材料的不同，則可分為金屬封裝三極管、塑料封裝三極管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。三極管外形如圖1-25所示。
通常情況下，最大集電極允許耗散功率PC、在1W以下的三極管稱為小功率三極管；特征頻率低于3 MHz的三極管稱為低頻三極管；特征頻率高于3 MHz而低于30MHz的三極管稱為中頻三極管；特征頻率大于30MHz的三極管稱為高頻三極管；特征頻率大于300MHz的三極管稱為超高頻三極管，超高頻三極管也稱微波三極管，其頻率特性一般高于500MHz，主要用于電視、雷達、導(dǎo)航、通信等領(lǐng)域中處理微波小段（300MHz以上的頻率）的信號。
高頻中、大功率三極管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。
中、低頻率小功率三極管主要用于工作頻率較低、功率在1W以下的低頻放大和功率放大等電路中。
中、低頻大功率三極管一般用在電視機、音響等家電中，作為電源調(diào)整管、開關(guān)管、場輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點火電路、逆變器、應(yīng)急電源（UPS）等系統(tǒng)電路中。
3）三極管的測量
（1）三極管基極的判別。三極管是由兩個方向相反的PN結(jié)組成的，根據(jù)PN結(jié)正向電阻小、反向電阻大的性質(zhì)，用萬用表R×100擋或R ×1kΩ擋進行測試。可先假設(shè)任一個管腳為“基極”，用紅表筆接“基極”，黑表筆分別接觸另外兩只管腳，若測得的均為低阻值；再將黑表筆接“基極”，紅表筆接另外兩個管腳，若讀數(shù)均為高阻值，則上述假設(shè)的“基極”是正確的，而且為PNP型三極管，如圖1-26所示。
如果用黑表筆接假設(shè)“基極”，紅表筆分別接觸另外兩只管腳，若測得的均為低阻值。再將紅表筆接“基極”，黑表筆接另外兩個管腳，若讀數(shù)均為高阻值，則假設(shè)的“基極”是NPN型三極管的基極，此管則為NPN型三極管，如圖1-27所示。
如果用黑表筆或紅表筆接假設(shè)的“基極”，余下的表筆分別接觸另外兩只管腳，測得的結(jié)果一個是低阻值，一個是高阻值，則原假設(shè)的“基極”是錯誤的，這就要重新假定一個“基極”再測試，直到滿足要求為止。
（2）發(fā)射極與集電極的判斷。對于NPN型三極管，判別的方法如下：用萬用表R×1k擋，先讓黑表筆接假設(shè)的“集電極”，紅表筆接“發(fā)射極”。手指沾點水，捏住黑表筆和“集電極”，再接觸基極（兩個電極不能碰在一起），如圖1-28所示，即通過手的電阻給三極管的基極加一正向偏置，使三極管導(dǎo)通。此時觀察表針的偏轉(zhuǎn)情況，并記下表針指示的阻值。然后再假設(shè)另一只管腳為“集電極”，重復(fù)上述測試，記下表針偏轉(zhuǎn)的角度和表針指示的阻值。比較兩次表針偏轉(zhuǎn)所指示的阻值，表針偏轉(zhuǎn)角度大、指示的阻值小的那次，假定是正確的，即該次黑表筆接的就是集電極。
如果是PNP型三極管，只要將紅表筆接假設(shè)的“集電極”，手指沾點水，捏住黑表筆和“發(fā)射極”，再接觸基極（兩個電極不能碰在一起），按照上述方法測試即可，如圖1-29所示。
快速識別：由于現(xiàn)在的三極管多數(shù)為硅管，可采用R×10k擋（萬用表內(nèi)電池為15V），紅、黑表筆直接測c、e極，正、反兩次，其中有一次表針擺動（幾百千歐左右）。如兩次均擺動，以擺動大的一次為準。NPN管為紅筆所接c極，黑筆所接為e極。PNP管紅筆接e極，黑筆接c極（注意：此法只適用于硅管，與上述方法相反，另外此法也是區(qū)分光電藕合器中c、e極最好方法）。
（3）直流放大倍數(shù)h FE的測量。首先把萬用表轉(zhuǎn)動開關(guān)撥至晶體管調(diào)節(jié)AM位置上，將黑測試棒短接，調(diào)節(jié)歐姆電位器，使指針對準300hee刻度線上，然后轉(zhuǎn)動開關(guān)到h FE位置，將要測的晶體管腳分別插入晶體管測座的e、d、c管座內(nèi)。指針偏轉(zhuǎn)所示數(shù)值為晶體管的直流放大倍，即B值，N型晶體管應(yīng)插入N型管孔內(nèi)，P型晶體管應(yīng)插入P型管孔內(nèi)。
7．場效應(yīng)晶體管
1） VM0S場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)及性能特點
VMOS場效應(yīng)晶體管是一種功率型場效應(yīng)晶體管，全稱為V形槽MOs場效應(yīng)晶體管，簡稱VMOS管，VMOS管有三個電極，分別為柵極G、漏極D和源極S。電路符號有兩種畫法，一種是內(nèi)藏保護二極管型，另一種是內(nèi)部不帶保護二極管型，分別如圖1-30所示。VMOS管的特點是具有V形槽和具有垂直導(dǎo)電性。漏極D是從芯片的背面引出的，因而工作時的漏極電流ID不是沿著表面水平流動，而是從重摻雜N＋區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過與表面形成一角度的溝道流到輕摻雜N-漂移區(qū)，然后垂直到達漏極D。因此，人們常把這種具有v形槽結(jié)構(gòu)和垂直導(dǎo)電型的半導(dǎo)體器件統(tǒng)稱為V-MOSFET（垂直導(dǎo)電型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。VMOS管具有輸入阻抗高、驅(qū)動電流小、耐壓高（最高耐壓1200 V）、工作電流大（1. 5A～100A）、輸出功率大（1W～250W）、跨導(dǎo)線性好、開關(guān)速度快等特點。
2）場效應(yīng)晶體管檢測
功率MOSFET的三個極：G，S和D是相互絕緣的，D與S之間有兩個背對背的二極管，所以，用指針式三用表（R×1k擋）是很容易來判別其好壞的。另外，功率MOSFET的漏極及源極之間并聯(lián)了一個二極管，則在測試時可測出二極管的陰極及陽極。下面以測N管的好壞為例說明其判別方法。
將萬用表撥到1kΩ擋，以紅表筆接S、黑表筆接G及紅表筆接G、黑表筆接S，指針不動（電阻為無窮大）；再用紅表筆接D、黑表筆接G及紅表筆接G、黑表筆接D，指針也不動。這是因為G與D及S之間有二氧化硅絕緣層，所以電阻為無窮大。用黑表筆接S和G，紅表筆接D，指針轉(zhuǎn)到10kΩ左右，這測出的是內(nèi)部二極管的正向電阻值（保護二極管）；黑表筆接D、紅表筆接S和G，指針不動，這是內(nèi)部二極管反向電阻及D、S之間無導(dǎo)電溝道時電阻值。這N溝道功率MOSFET是好的。
在測D和S之間電阻時要將S和G接在一起，因為在測低閾值電壓功率MOSFET時，它的VGS（Th） =0.45V～1V。在測G與S間的電阻時，由于測電阻表中有1. 5V的電壓，在G與S極間加了1. 5V電壓，使其在兩個極板上產(chǎn)生電荷，產(chǎn)生了導(dǎo)電溝道。由于沒有放電通路，這電荷放不掉，所以，若在測G、S之間電阻后，不將G與S連接在一起放掉電荷，則會測出D、S間電阻很小的情況（因為表內(nèi)1. 5V電池電壓加在D、S極、G、S及產(chǎn)生的感應(yīng)電荷已形成導(dǎo)電溝道，所以，測出電阻很小的情況，而G、S連在一起，則形成放電回路，無導(dǎo)通條件）。
若用上述方法測量時發(fā)現(xiàn)G與S之間或G與D之間電阻較小，或G，S接紅表筆，D接黑表筆時，電阻不是無窮大（幾十千歐或幾百千歐），則此N管已有損壞。若測D、S之間（紅、黑對調(diào)測量）都是無窮大，則其中二極管損壞。測P管的方法與測N管相同，但極性相反。
