用戶做靜電測試前需要確認(rèn)，做哪些ESD實驗？提供POD給實驗室確認(rèn)是否有現(xiàn)成夾具，沒有的話要定制夾具。

北軟實驗室ESD夾具

ESD通常有以下幾種模式：

? HBM （人體模型）Human Body Model：模擬人體接觸到芯片管腳產(chǎn)生的ESD放電

· 通常測試條件為2000V, 可以采用步進(jìn)式(step）增加電壓直至打死(fail)，比如500V，1000V，1500V, 2000V till fail，也可以直接2000V。

· 樣品一般為3顆/組，也可以1顆/組(工程時）

? MM （機(jī)器模型）Machine Model：模擬生產(chǎn)加工過程中，生產(chǎn)設(shè)備對芯片產(chǎn)生ESD放電

· 目前僅日本廠商有強(qiáng)制性要求，JEDEC已經(jīng)作廢

· 樣品一般為3顆/組，也可以1顆/組(工程時）

? CDM （人體模型）Charged Device Model：模擬芯片運(yùn)輸過程出現(xiàn)內(nèi)部電荷累計條件下的ESD放電

· 通常測試條件為200V，500V, 可以采用步進(jìn)式(step）增加電壓直至打死(fail)，比如200V，250V，300V, till fail2000V，也可以直接500V。 

? LU（閂鎖測試）Latch-up test：指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產(chǎn)生的一低阻抗通路, 它的存在會使VDD和GND之間產(chǎn)生大電流

· 通常溫度通常為室溫（25度），也可高溫(85度，125度等），通常測試條件為100mA，1.5 x VCC，也可200mA，1.5 x VCC

· 樣品一般為3顆I-test（電流測試），3顆 Vsupply Overvoltage test（過電壓測試），共計6顆，也可6顆/組，都測。

? 曲線測試 IV Curve Trace：量IC 管腳的電壓電流（I-V）曲線

? EOS測試 電過應(yīng)力測試 Electrical Over Stress ：

· 就是用MK2或者M(jìn)K4做過壓測試? TLP測試 Transmission Line Pulse 

· 一般設(shè)計公司需要做， 使用TLP脈沖方波評估芯片的ESD性能，可以是Wafer，die或封裝后成品。

· 通常0V打到fail 

? ESD-gun 靜電槍測試

· 模擬單板、系統(tǒng)外部接口在帶電插拔等情況下的ESD放電，板級、系統(tǒng)級ESD測試，不針對芯片進(jìn)行

· 通常電壓較高，會打2KV以上，甚至10KV，20KV.? EFT Test 電快速脈沖群測試：Electrical Fast Transient

· 板級、系統(tǒng)級ESD測試，不針對芯片進(jìn)行· 通常都會打2KV，4KV

? Surge Test 浪涌測試，低壓雷擊測試

· 板級、系統(tǒng)級ESD測試，不針對芯片進(jìn)行，測試電磁干擾能力，檢驗是否能抵抗脈沖和噪聲的干擾· 一般是從Vcc max打到fail, 比如step 0.5V till fail