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磁控賤射

?隨著我國制造業(yè)不斷升級,航空航天、精密制造、航海技術(shù)等獲得長足發(fā)展,對材料表面的力學性能、耐磨性能、耐腐蝕性能等提出越來越高的要求。高性能薄膜是提升材料表面服役性能的有效技術(shù)手段之一。

磁控濺射技術(shù)原理:磁控濺射技術(shù)的工作原理如圖1所示,在真空條件下,以靶材為陰極,基底為陽極,Ar在高壓作用下電離產(chǎn)生高能Ar+,Ar+在電場作用下高速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,在基底上沉積形成薄膜。

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多功能磁控濺射儀(高真空磁控濺射儀)是用磁控濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質(zhì)復合膜及其它化學反應膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。

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設備關(guān)鍵技術(shù)特點

秉承設備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念,我們做了如下設計和工程實現(xiàn),實際運行效果良好,為用戶的專*用*工*藝實現(xiàn)提供了精*準*的工藝設備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的,如果做不到面接觸,接觸電阻將增大,導致離化電場的幅值不夠(接觸電阻增大,接觸面的電場分壓增大),導致鍍膜效果不好;電阻增大導致靶材發(fā)熱升溫,降低鍍膜質(zhì)量。

-靶材和靶面接觸不良,導致水冷效果不好,降低鍍膜質(zhì)量。

-增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質(zhì),保證面接觸。

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距離可調(diào)整

基片和靶材之間的距離可調(diào)整,以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調(diào)

磁控濺射靶頭可調(diào)角度,以便針對不同尺寸基片的均勻性,做精*準*調(diào)控。

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集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點:

安全性好(操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件)

占地面積小,尺寸約為:長1100mm×寬780mm(標準辦公室門是800mm寬)(傳統(tǒng)設備大約為2200mm×1000mm),相同面積的工作場地,可以放兩臺設備。

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控制系統(tǒng)

采用計算機+PLC兩級控制系統(tǒng)

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安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設置真空檢測與報警保護功能

-溫度檢測與報警保護

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量

-檢測與報警保護

勻氣技術(shù)

工藝氣體采用勻氣技術(shù),氣場更均勻,鍍膜更均勻。

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基片加熱技術(shù)

采用鎧裝加熱絲,由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi),所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì),保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里,保證溫常的均勻,然后再對基片加熱。

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真空度更高、抽速更快

真空室內(nèi)外,全部電化學拋光,完全去除表面微觀毛刺叢林(在顯微鏡下可見),沒有微觀藏污納垢的地方,腔體內(nèi)表面積減少一倍以上,鍍膜更純凈,真空度更高,抽速更快。

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設備詳情

設備結(jié)構(gòu)及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室+進樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型:1 ~ 6 靶,圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

4、磁控濺射靶:射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

6、通入反應氣體,可進行反應濺射鍍膜7、操作方式:手動、半自動、全自動

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工作條件

供電 ~ 380V 三相五線制

功率 根據(jù)設備規(guī)模配置

冷卻水循環(huán) 根據(jù)設備規(guī)模配置

水壓 1.5 ~ 2.5×10^5Pa

制冷量 根據(jù)扇熱量配置

水溫 18~25℃

氣動部件供氣壓力 0.5~0.7MPa

質(zhì)量流量控制器供氣壓力 0.05~0.2MPa

工作環(huán)境溫度 10℃~40℃

工作濕度 ≤50%

設備主要技術(shù)指標

-基片托架:根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度:根據(jù)用戶供應要求配置,溫度可用電腦編程控制,可控可調(diào)。

-基片架公轉(zhuǎn)速度 :2 ~100 轉(zhuǎn) / 分鐘,可控可調(diào);基片自轉(zhuǎn)速度:2 ~20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

-靶面到基片距離: 30 ~ 140mm 可調(diào)。

-Φ2 ~Φ3 英寸平面圓形靶 2 ~ 3 支,配氣動靶控板,靶可擺頭調(diào)角度。

-鍍膜室的極限真空:6X10-5Pa,恢復工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分鐘左右(新設備充干燥氮氣)。

-設備總體漏放率:關(guān)機 12 小時真空度≤10Pa。

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