電子設(shè)備、儀器和元件深度報(bào)告：半導(dǎo)體景氣反轉(zhuǎn) 國產(chǎn)化關(guān)注功率和存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈
全球半導(dǎo)體龍頭營收及資本開支預(yù)示全球半導(dǎo)體景氣反轉(zhuǎn)
半導(dǎo)體芯片是科技創(chuàng)新的硬件基礎(chǔ)，站在5G+AI 這新一輪全球科技創(chuàng)新周期的起點(diǎn)，從中長期維度出發(fā)，半導(dǎo)體芯片將是科技創(chuàng)新發(fā)展確定的方向之一；全球半導(dǎo)體龍頭廠商的營收增長轉(zhuǎn)正反映出整體行業(yè)的景氣在回升；半導(dǎo)體資本開支是行業(yè)未來景氣度的晴雨表，行業(yè)龍頭公司如臺(tái)積電、三星、intel 等大幅提升資本開支表明對行業(yè)后續(xù)景氣度的看好。
國內(nèi)科技巨頭+大基金加速推進(jìn)半導(dǎo)體國產(chǎn)化
中國半導(dǎo)體市場龐大，自給率嚴(yán)重不足，國產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)。我們認(rèn)為華為和國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金是分別從產(chǎn)業(yè)鏈和資金層面推動(dòng)半導(dǎo)體國產(chǎn)化發(fā)展中堅(jiān)力量。華為作為中國科技行業(yè)的航母，引領(lǐng)大量供應(yīng)商與合作伙伴共同成長，在當(dāng)前復(fù)雜多變的貿(mào)易環(huán)境下，華為半導(dǎo)體采購金額全球前三的體量+去A 化供應(yīng)鏈管理策略有望推動(dòng)國產(chǎn)化進(jìn)程加速；國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在大基金的資金和資源的雙重因素助推下加速發(fā)展，大基金賬面投資回報(bào)可觀形成雙贏可持續(xù)發(fā)展態(tài)勢，國家大基金二期于2019 年10 月22 日成立，預(yù)計(jì)2020 年將開啟新一輪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資，一方面對已布局的企業(yè)保持高強(qiáng)度的持續(xù)支持，推動(dòng)龍頭企業(yè)做大做強(qiáng)；另一方面將更加注重半導(dǎo)體設(shè)備和材料領(lǐng)域的投資。
關(guān)注國內(nèi)功率半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈
從技術(shù)門檻來講，功率半導(dǎo)體低于集成電路，當(dāng)前國內(nèi)部分功率半導(dǎo)體企業(yè)已具備進(jìn)口替代的能力；在集成電路領(lǐng)域，當(dāng)前國家重點(diǎn)支持和投入的方向是存儲(chǔ)器芯片，長江存儲(chǔ)和合肥長鑫有望引領(lǐng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)崛起。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著國內(nèi)相關(guān)企業(yè)在各自領(lǐng)域的持續(xù)突破，國產(chǎn)化比率逐年提高，新的化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域國內(nèi)企業(yè)與海外廠商差距較小，我們認(rèn)為未來國產(chǎn)化趨勢比較明確；在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，一方面合肥長鑫、長江存儲(chǔ)分別在DRAM、NANDFLASH 技術(shù)路徑和產(chǎn)能提升上進(jìn)行布局和突破，目前均已取得階段性成效，另一方面隨著合肥長鑫、長江存儲(chǔ)產(chǎn)能的持續(xù)提升，也拉動(dòng)了上游的半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體耗材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
中國半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈機(jī)遇充足
關(guān)注國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)會(huì)。
風(fēng)險(xiǎn)提示： 1. 5G、AI、HPC 等發(fā)展不及預(yù)期；2. 國內(nèi)廠商技術(shù)突破進(jìn)度不及預(yù)期。
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